SQD19P06-60L_GE3 دیتاشیت

SQD19P06-60L_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQD19P06-60L_GE3
حجم فایل 86.484 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت SQD19P06-60L_GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQD19P06-60L_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 46W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 41nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1490pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V,19A
  • Package: TO-252-2(DPAK)
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه